Līdzīgi kā grafēns, MXenes ir metāla karbīda divdimensiju materiāls, kas sastāv no titāna, alumīnija un oglekļa atomu slāņiem, kuriem katram ir sava stabila struktūra un tie var viegli pārvietoties starp slāņiem. 2021. gada martā Misūri štata Zinātnes un tehnoloģiju universitāte un Argonnas Nacionālā laboratorija veica pētījumus par MXenes materiāliem un atklāja, ka šī materiāla pretnodiluma un eļļošanas īpašības ekstremālos apstākļos ir labākas nekā tradicionālajām eļļas bāzes smērvielām, un to var izmantot kā "Super Lubricant", lai samazinātu nākotnes zondu, piemēram, Perseverance, nodilumu.
Pētnieki simulēja kosmosa vidi, un materiāla berzes testi atklāja, ka MXene saskarnes berzes koeficients starp tērauda lodi un ar silīcija dioksīdu pārklāto disku, kas izveidots "pāreļļotā stāvoklī", bija 0,0067 un 0,0017. Labāki rezultāti tika iegūti, pievienojot grafēnu MXene. Grafēna pievienošana var vēl vairāk samazināt berzi par 37,3% un samazināt nodilumu 2 reizes, neietekmējot MXene supereļļošanas īpašības. MXenes materiāli ir labi pielāgoti augstas temperatūras vidēm, paverot jaunas durvis turpmākai smērvielu izmantošanai ekstremālos apstākļos.
Tika paziņots par pirmās 2nm procesa mikroshēmas izstrādes gaitu Amerikas Savienotajās Valstīs
Nepārtraukts izaicinājums pusvadītāju nozarē ir vienlaikus ražot mazākas, ātrākas, jaudīgākas un energoefektīvākas mikroshēmas. Lielākā daļa datoru mikroshēmu, kas mūsdienās darbina ierīces, izmanto 10 vai 7 nanometru procesa tehnoloģiju, un daži ražotāji ražo 5 nanometru mikroshēmas.
2021. gada maijā ASV korporācija IBM paziņoja par pasaulē pirmās 2 nm procesa mikroshēmas izstrādes progresu. Mikroshēmas tranzistors izmanto trīs slāņu nanometru vārtu (GAA) dizainu, izmantojot vismodernāko ekstremālās ultravioletās litogrāfijas tehnoloģiju, lai noteiktu minimālo izmēru, tranzistora vārtu garums ir 12 nanometri, integrācijas blīvums sasniegs 333 miljonus uz kvadrātmilimetru, un 50 miljardus var integrēt.
Tranzistori ir integrēti naga lielumā. Salīdzinot ar 7 nm mikroshēmu, paredzams, ka 2 nm procesa mikroshēma uzlabos veiktspēju par 45%, samazinās enerģijas patēriņu par 75%, un tā var četras reizes pagarināt mobilo tālruņu akumulatora darbības laiku, un mobilo tālruni var izmantot nepārtraukti četras dienas. tikai ar vienu uzlādi.
Turklāt jaunā procesa mikroshēma var arī ievērojami uzlabot piezīmjdatoru veiktspēju, tostarp uzlabot piezīmjdatoru lietojumprogrammu apstrādes jaudu un interneta piekļuves ātrumu. Pašpiedziņas automašīnās 2nm procesa mikroshēmas var uzlabot objektu noteikšanas iespējas un saīsināt reakcijas laiku, kas ievērojami veicinās pusvadītāju lauka attīstību un turpinās leģendu par Mūra likumu. IBM plāno 2027. gadā masveidā ražot 2nm procesa mikroshēmas.
Izsūtīšanas laiks: Aug-01-2022